введение примеси

Mira otros diccionarios:

• введение примеси — легирование примесь — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом Синонимы легированиепримесь EN doping …   Справочник технического переводчика

• введение примеси — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• боковое введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• горизонтальное введение примеси — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• внедрение примеси — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… …   Физическая энциклопедия

• lateral impurity placement — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• placement latéral du dopant — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• seitliche Dotierung — šoninis priemaišų įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• šoninis priemaišų įterpimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lateral impurity placement vok. seitliche Dotierung, f rus. боковое введение примеси, n; горизонтальное введение примеси, n pranc. placement latéral du dopant, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Fremdstoffeindringung — priemaišos įterpimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity incorporation; impurity intrusion vok. Fremdstoffeindringung, f; Fremdstoffeinlagerung, f; Störstelleneinlagerung, f rus. введение примеси, n; внедрение примеси,… …   Radioelektronikos terminų žodynas